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Banco de pruebas de sensores fotoeléctricos【GL-998G】

El banco de pruebas de sensores fotoeléctricos GL998G es un instrumento experimental didáctico de fotoelectricidad, lanzado por nuestra empresa para satisfacer las necesidades de la enseñanza de fotoelectricidad en optoelectrónica, ingeniería de la información, tecnología electrónica física y otras especialidades. Es el equipo básico para realizar experimentos sobre las características y aplicaciones de dispositivos fotosensibles y sensores fotoeléctricos, y el instrumento experimental básico para la tecnología optoelectrónica.

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Descripción


   GL998G Banco de pruebas de sensores fotoeléctricos


El banco de pruebas de sensores fotoeléctricos GL998G es un instrumento experimental didáctico fotoeléctrico, lanzado por nuestra empresa para satisfacer las necesidades de la enseñanza de fotoelectricidad en áreas como optoelectrónica, ingeniería de la información y tecnología electrónica física. Es el equipo básico para realizar experimentos sobre las características y aplicaciones de dispositivos fotosensibles y sensores fotoeléctricos, y el instrumento experimental básico para la tecnología optoelectrónica.

I. Configuración del banco de pruebas del sensor fotoeléctrico GL998G

1. Fotocélula de silicio (VOC: 300 mV, ID < 1×10⁻⁻μA, ISC: 5 μA, λ: 300-1000 nm, λp: 880 nm)

2. Fotodiodo (Vr: 20 V, ID < 0,1 μA, IL: 50 μA, tr tf: 10 ns, λp: 880 nm)

3. Fototransistor (VCEO: 50 V, ID < 0,1 μA, IL: 5 mA, tr tf: 15 ns, λp: 880 nm)

4. Fotorresistencia (fotorresistencia CDS, potencia nominal: 100 mW, resistencia en oscuridad ≥ 1 MΩ, tr 20 mS, tf 30 mS, λp: 580 nm)

5. Optoacoplador reflectante (entrada: IFM = 20 mA, VR = 5 V, VF = 1,3 V; salida: VCEO = 30 V, ICEO = 0,1 μA, VCES = 0,4 V; características de transmisión: CTR (%) = 5, tr tf: 5 μs)

6. Sonda piroeléctrica infrarroja

7. Sonda de fotómetro

8. Fibra óptica tipo Y

9. Láser semiconductor (longitud de onda: 635 μm, potencia: 1-3 mW)

10. Lámpara incandescente convencional

11. Diodo emisor de luz convencional

12. Diodo emisor de infrarrojos (VR: 5 V, VF: 1,4 V, IR: 10 μA, PO: 2 mW)

13. Sensor de posición PSD

II, GL998G: Proyecto experimental de banco de pruebas de sensores fotoeléctricos

1. Experimento de las características del fotodiodo

2. Experimento con la fotorresistencia

3. Experimento de las características del fototransistor

4. Experimento de conocimientos básicos de fotoelectricidad

5. Experimento con fotocélula

6. Experimento del interruptor fotoeléctrico de transmisión

7. Experimento del interruptor fotoeléctrico de reflexión infrarroja

8. Experimento del sensor de desplazamiento de fibra óptica

9. Experimento del sensor de posición PSD

10. Experimento de fuente de luz, modulación y demodulación de luz

11. Experimento del sensor infrarrojo piroeléctrico

GL998G图400400.jpg

Versión para PC sincrónica:

GL998G Banco de pruebas de sensores fotoeléctricos   http://spanish.biisun.com/home/category/detail/id/129.html  

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